پاورپوینت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)

— پاورپوینت شامل تصاویر میباشد —-

اسلاید ۱ :

کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشکیل شده است و قطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود.

ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد

اسلاید ۲ :

اگر قطعه ای سیلیکن با ناخالصی نوع n به دو سر یک باتری وصل کنیم جریانی با توجه به میزان مقاومت سیلیکن در مدار جاری می شود

اسلاید ۳ :

نفوذ فلز سه ظرفیتی (مانند ایندیم) و ایجاد ناحیه ای از نوع P با غلظتی بیش از ناحیه n

و ایجاد اتصالی به نام گیت

اسلاید ۴ :

اگر هر سه پایه سورس و درین را اتصال کوتاه کنیم هیچ جریانی از کانال نمی گذرد و دو ناحیه P و n توسط ناحیه تخلیه از هم جدا می شوند.

اسلاید ۵ :

اتصال منبع ولتاژ بین دو پایه درین و سورس به طوری که درین نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث :

–افزایش ولتاژ باعث عبور جریان از کانال می شود

–اتصال pn در گرایش معکوس قرار می گیرد

–ناحیه تخلیه (سد) در داخل کانال نفوذ می کند

–با افزایش بیشتر ولتاژ کانال مسدود می شود. (ولتاژ بحرانی Vp)

اسلاید ۶ :

اتصال منبع ولتاژ بین گیت و سورس در جهت معکوس باعث:

– گسترش هر چه سریعتر ناحیه  تخلیه در کانال

در صورتیکه ولتاژ درین – سورس را بیش از ولتاژ بحرانی انتخاب کنیم:

با افزایش ولتاز گیت سورس سرانجام جریان درین صفر خواهد شد. که به این ولتاژ ، ولتاژ قطع یا آستانه نامیده می شود.

اسلاید ۷ :

درعمل به منظور داشتن مشخصات الکتریکی بهتر ناحیه گیت را در دو طرف کانال ایجاد می کنند  و این دو ناحیه از داخل به هم متصل می شود.

در این حالت پیشروی ناحیه تخلیه متناسب خواهد بود

اسلاید ۸ :

ناحیه قطع : رسیدن ولتاژ VGS به ولتاژ آستانه و تسخیر کانال توسط ناحیه تخلیه  هیچ جریانی از درین نمی گذرد

ناحیه خطی: در این ناحیه ترانزیستور مانند مقاومت خطی عمل می کند و مقدار آن با مقدار VGS تغییر می کند.

ناحیه اشباع: در این ناحیه ترانزیستور مانند منبع جریان ثابت عمل می کند شرط حضور ترانزیستور در این ناحیه :

VDS ³ VP + VGS

اسلاید ۹ :

به دلیل افزایش جریان نشتی گیت – سورس با افزایش دمای محیط و کاهش مقاومت ورودی آن  گیت ترانزیستور با یک لایه اکسید سیلیکون از کانال جدا شده و هیچ جریانی از آن عبور نمی کند . (مقاومت ورودی بی نهایت)

ترانزیستورجدید MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) نامیده می شود.